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MRF5812G中文资料

厂家型号

MRF5812G

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5

功能描述

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

MRF5812G - Bulk

数据手册

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生产厂商

ADPOW

MRF5812G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz.

Features

• Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ

• Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz

• Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA

• Cost Effective SO-8 package

MRF5812G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5812G

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    MRF5812G - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

更新时间:2021-9-14 10:50:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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