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位置：首页 > IC中文资料第4975页 > MRF581G

型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
MRF581G

RF&MICROWAVEDISCRETELOWPOWERTRANSISTORS

文件：162.77 Kbytes Page：6 Pages

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
MRF581G

封装/外壳：微型-X 陶瓷 84C 包装：卷带（TR） 描述：RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 射频

MicrosemiMicrosemi Corporation

美高森美美高森美公司

Microsemi
581

PISTONSEALS

DESCRIPTION TheBECA580-581profilesareU-ring typepistonsealswithoffsetrubberlips. APPLICATIONS Materialhandling-Lifting Presses Hydrauliccylinders

FRANCEJOINT

France Joint

FRANCEJOINT
AD581

HighPrecision10VICReference

GENERALDESCRIPTION TheAD581isa3-pin,temperaturecompensated,monolithic,bandgapvoltagereferencethatprovidesaprecise10.00Voutputfromanunregulatedinputlevelrangingfrom12Vto30V. FEATURES Lasertrimmedtohighaccuracy 10.000V±5mV(LandUmodels)

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD
581

ClippedSineWave

文件：134.9 Kbytes Page：2 Pages

OSCILENT

Oscilent Corporation

OSCILENT
AC581

20TO500MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIERS

文件：175.92 Kbytes Page：2 Pages

TELEDYNETeledyne Technologies Incorporated

华特力科

TELEDYNE
AD581

HighPrecision10VICReference

文件：329.41 Kbytes Page：12 Pages

ADAnalog Devices

亚德诺亚德诺半导体技术有限公司

AD

MRF581G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF581G

  • 功能描述

    TRANS NPN 18V 200MA MACRO X

  • RoHS

    是

  • 类别

    分离式半导体产品 >> RF 晶体管(BJT)

  • 系列

    -

  • 产品变化通告

    Product Discontinuation 17/Dec/2010

  • 标准包装

    1

  • 系列

    -

  • 晶体管类型

    NPN 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    4.7V 频率 -

  • 转换

    47GHz

  • 噪声系数（dB典型值@频率）

    0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz

  • 增益

    9dB ~ 31dB 功率 -

  • 最大

    160mW 在某 Ic、Vce

  • 时的最小直流电流增益(hFE)

    160 @ 25mA，3V 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    45mA

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    4-SMD，扁平引线

  • 供应商设备封装

    4-TSFP

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 其它名称

    BFP 740FESD E6327DKR

MRF581G供应商更多...

更新时间：2025-6-27 11:23:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市欧立现代科技有限公司
MRF581G
Microse
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