型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MRF5812R1

RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS

DESCRIPTION: Designed for high current, low power, low noise, amplifiers up to 1.0 GHz. Features • Low Noise - 2.5 dB @ 500 MHZ • Associated Gain = 15.5 dB @ 500 MHz • Ftau - 5.0 GHz @ 10v, 75mA • Cost Effective SO-8 package

MICROSEMI

美高森美

MRF5812R1

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:带 描述:RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO 分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 射频

MICROSEMI

美高森美

MRF5812R1

RF/Microwave Si BJT Power Devices & Pallets

MICROCHIP

微芯科技

MRF5812R1产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MRF5812R1

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    MRF5812R1 - Bulk

  • 制造商

    Microsemi Corporation

  • 功能描述

    RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR BIPOLAR/HBT

更新时间:2026-3-2 15:16:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MOTOROLA/摩托罗拉
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