MRF6S9125N原装现货热卖

发布企业：深圳市向鸿伟业电子有限公司时间：2021-2-3 16:27:00

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MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

深圳市向鸿伟业电子有限公司李先生18926457200

MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性: N-Channel

技术: Si

Vds-漏源极击穿电压: 68 V

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-270-4

配置: Single Dual Drain Dual Gate

高度: 2.64 mm

长度: 17.58 mm

类型: RF Power MOSFET

宽度: 9.07 mm

商标: NXP Semiconductors

通道模式: Enhancement

产品类型: RF MOSFET Transistors

子类别: MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V， 12 V

单位重量: 1.635 g

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2025-8-11 17:15:00