深圳市向鸿伟业电子有限公司 李先生18926457200
MRF6S9125N射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
制造商: NXP
产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
晶体管极性: N-Channel
技术: Si
Vds-漏源极击穿电压: 68 V
最小工作温度: - 65 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-270-4
配置: Single Dual Drain Dual Gate
高度: 2.64 mm
长度: 17.58 mm
类型: RF Power MOSFET
宽度: 9.07 mm
商标: NXP Semiconductors
通道模式: Enhancement
产品类型: RF MOSFET Transistors
子类别: MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压: - 0.5 V, 12 V
单位重量: 1.635 g