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位置：首页 > IC中文资料第181页 > MMBT4126

MMBT4126晶体管资料

  • MMBT4126别名：MMBT4126三极管、MMBT4126晶体管、MMBT4126晶体三极管

  • MMBT4126生产厂家：韩国三星公司

  • MMBT4126制作材料：

  • MMBT4126性质：射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）

  • MMBT4126封装形式：

  • MMBT4126极限工作电压：

  • MMBT4126最大电流允许值：0.2A

  • MMBT4126最大工作频率：<1MHZ或未知

  • MMBT4126引脚数：

  • MMBT4126最大耗散功率：

  • MMBT4126放大倍数：

  • MMBT4126图片代号：NO

  • MMBT4126vtest：0

  • MMBT4126htest：999900

  • MMBT4126atest：0.2

  • MMBT4126wtest：0

  • MMBT4126代换 MMBT4126用什么型号代替：

MMBT4126价格

参考价格：￥0.1236

型号：MMBT4126 品牌：FAIRCHILD 备注：这里有MMBT4126多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT4126批发/采购报价，MMBT4126行情走势销售排行榜，MMBT4126报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
MMBT4126

PNP General Purpose Amplifier

PNP General Purpose Amplifier This device is designed for general purpose amplifier and switching applications at collector currents to 10 µA as a switch and to 100 mA as an amplifier.

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126

PNP (GENERAL PURPOSE TRANSISTOR)

GENERAL PURPOSE TRANSISTOR

Samsung

三星

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMBT4124) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4)

DIODES

美台半导体

MMBT4126

25V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Complementary NPN Type: MMBT4124 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

DIODES

美台半导体

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features ● Epitaxial Planar Die Construction ● Complementary NPN Type Available (MMBT4124) ● Ideal for Medium Power Amplification and Switching

TRSYS

Transys Electronics

MMBT4126

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126

MMBT4126: PNP General Purpose Amplifier

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：160.58 Kbytes Page：4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126

PNP General Purpose Amplifier

文件：83.08 Kbytes Page：6 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126

FAIRCHILD Small Signal Transistors

文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages

Fairchild

仙童半导体

MMBT4126_16

25V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Complementary NPN Type: MMBT4124 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

DIODES

美台半导体

MMBT4126-7

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMBT4124) • Ideal for Low Power Amplification and Switching • Lead, Halogen and Antimony Free, RoHS Compliant Green Device (Notes 2 and 4)

DIODES

美台半导体

MMBT4126-7-F

25V PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR

Features • Epitaxial Planar Die Construction • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Complementary NPN Type: MMBT4124 • Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3) • Qualified to AEC-Q101 Standards for Hig

DIODES

美台半导体

MMBT4126LT1

General Purpose Transistor PNP Silicon

General Purpose Transistor PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126LT1G

General Purpose Transistor

General Purpose Transistor PNP Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating: − Human Body Model: > 4000 V − Machine Model: > 400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126_1

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：160.58 Kbytes Page：4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126_15

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126_2

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126-7-F

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：160.58 Kbytes Page：4 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126-7-F

PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages

DIODES

美台半导体

MMBT4126-7-F

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR） 描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

DIODES

美台半导体

MMBT4126LT1

PNP 双极晶体管

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126LT1G

General Purpose Transistor

文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126LT1G_16

General Purpose Transistor

文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages

ONSEMI

安森美半导体

MMBT4126LT3G

双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS GP XSTR PNP 20V

ONSEMI

安森美半导体

4126

High Linearity Quad MOSFET Mixer for DCS 1800 BTS

Product Description The PE4126 is a high linearity, passive Quad MOSFET Mixer for DCS 1800 Base Station Receivers exhibiting high dynamic range performance over a broad LO drive range up to 20 dBm. This mixer integrates passive matching networks to provide single-ended interfaces for the RF and L

Peregrine

4126

HIGH FREQUENCY SWITCHING TRANSISTORS FOR BALLASTERS

DESCRIPTION UTC 4126 is designed for specially used for electronic ballasters in 110VAC environment. FEATURES * Triple diffused technology. * High switching speed

UTC

友顺

4126D

MIDDLING VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

DESCRIPTION The UTC 4126D is a middling voltage NPN power transistor. it uses UTC’s advanced technology to provide customers with high switching speed and high reliability, etc. The UTC 4126D is suitable for commonly power amplifier circuit, electronic ballasts and energy-saving light etc. FEAT

UTC

友顺

4126

Nylon Wire Harness Clamps

文件：109.24 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

4126B

Nylon Wire Harness Clamps

文件：109.24 Kbytes Page：1 Pages

Heyco

MMBT4126产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MMBT4126

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

MMBT4126供应商更多...

更新时间：2025-12-28 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳瞄钧科技有限公司
MMBT4126
FS
24+
原厂封装
65250
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深圳市高捷芯城科技有限公司
MMBT4126LT1G
onsemi(安森美)
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SOT-23-3
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深圳市东来宝电子科技有限公司
MMBT4126LT1G
ON/安森美
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SOT-23
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深圳市弘为电子有限公司
MMBT4126LT1
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24+
原装进口原厂原包接受订货
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原装现货假一罚十
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深圳市亿智腾科技有限公司
MMBT4126LT1G
ON/安森美
24+
NA
55741
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深圳市恒科翔业电子有限公司
MMBT4126LT3G
ON/安森美
22+
24000
原装正品现货,实单可谈,量大价优
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深圳市河锋鑫科技有限公司
MMBT4126
原厂
2021+
60000
原装现货，欢迎询价
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中天科工半导体（深圳）有限公司
MMBT4126LT1G
ON/安森美
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SOT23
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ON/安森美全新特价MMBT4126LT1G即刻询购立享优惠#长期有货
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深圳市恒凯威科技开发有限公司
MMBT4126-7-F
DIODES/美台
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SOT-23-3
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深圳市宇集芯电子有限公司
MMBT4126/ZF
FAIRCHIL
24+
SOT-23
90000
一级代理商进口原装现货、假一罚十价格合理
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