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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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MMBT4126LT1G_16 | GeneralPurposeTransistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
更新时间：2025-7-21 23:14:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
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onsemi(安森美) |
24+ |
SOT23(TO236) |
7350 |
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ON |
20+ |
SMD |
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SOT-23 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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ON/安森美 |
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NA |
25630 |
原装正品 |
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21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
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NA |
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NA |
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只做原装,质量保证 |
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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