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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4126LT1G_16 | General Purpose Transistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 |   |
更新时间：2025-11-23 12:00:00
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ONSEMI/安森美 |
2511 |
SOT-23-3 |
360000 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
ST/意法 |
23+ |
SOT-23 |
13000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
24+ |
N/A |
72000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
SOT-23 |
24190 |
原装正品代理渠道价格优势 |
|||
ON/SKSEMI |
23+ |
SOT-23 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
||||
ONSemiconductor |
24+ |
NA |
3799 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ON |
24+ |
90000 |
|||||
NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
986966 |
国产 |
MMBT4126LT1G_16芯片相关品牌
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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