MMBT4126_2说明书PDF资料原装现货专卖达尔科技-IC资料网

114ic电子网登录注册

芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT4126_2	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
MMDT4126_2	DUALPNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMDT4124) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note3) •GreenDevice(Note4and5)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
MMST4126_2	PNPSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryNPNTypeAvailable(MMST4124) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •Ultra-SmallSurfaceMountPackage •LeadFree/RoHSCompliant(Note2) •GreenDevice(Notes3and4)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技

MMBT4126_2供应商更多...

更新时间：2024-5-20 16:39:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市晴轩时代电子有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	21+	SOT-23-3	8800	公司只做原装正品	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	21+	SOT-23-3	8080	只做原装,质量保证	询价
易创佳业科技（深圳）有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	23+	SOT-23-3	8080	原装正品，支持实单	询价
深圳市斌能达电子科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	2023+	SOT-23-3	6000	全新原装深圳仓库现货有单必成	询价
深圳廊盛科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	22+	SMD	50000	原装正品.假一罚十	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	20+	SMD	88800	DIODES原装优势主营型号-可开原型号增税票	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MMBT4126-7	DIODES-美台	24+25+/26+27+	SOT-23-3	36218	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价
深圳市富利微电子科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	23+	SOT-23-3	25000	原装正品公司现货,假一赔十!	询价
深圳市振宏微科技有限公司	MMBT4126-7	SOT-23	23+	NA	15659	振宏微专业只做正品,假一罚百!	询价
深圳市星佑电子有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	21+	SOT-23-3	10000	原装,品质保证,请来电咨询	询价

MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-5-15
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9
MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3