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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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MMBT4126_2 | PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR 文件：118.96 Kbytes Page：3 Pages | DIODES 美台半导体 |   | |
DUAL PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMDT4124) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 3) • Green Device (Note 4 and 5) | DIODES 美台半导体 | | ||
PNP SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR Features • Epitaxial Planar Die Construction • Complementary NPN Type Available (MMST4124) • Ideal for Medium Power Amplification and Switching • Ultra-Small Surface Mount Package • Lead Free/RoHS Compliant (Note 2) • Green Device (Notes 3 and 4) | DIODES 美台半导体 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
原装DIODES |
24+ |
SOT-23 |
63200 |
一级代理/放心采购 |
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DIODES/美台 |
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SMD |
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DIODES/美台 |
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DIODES/美台 |
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NA |
30000 |
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DIODES |
24+ |
SOT23 |
12000 |
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DIODES/美台 |
22 |
SMD |
30000 |
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DIODES/美台 |
23+ |
SOT-23-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
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原装DIODES |
19+ |
SOT-23 |
20000 |
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DIODES(美台) |
25+ |
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样件支持,可原厂排单订货! |
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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