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MMBT4126LT1G价格
参考价格：￥0.1164
型号：MMBT4126LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT4126LT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT4126LT1G批发/采购报价，MMBT4126LT1G行情走势销售排行榜，MMBT4126LT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4126LT1G | General Purpose Transistor General Purpose Transistor PNP Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating: − Human Body Model: > 4000 V − Machine Model: > 400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant | ONSEMI 安森美半导体 |   | |
MMBT4126LT1G | General Purpose Transistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | | |
MMBT4126LT1G | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMI 安森美半导体 | | |
General Purpose Transistor PNP Silicon General Purpose Transistor PNP Silicon • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating – Human Body Model: >4000 V – Machine Model: >400 V | ONSEMI 安森美半导体 | | ||
General Purpose Transistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMI 安森美半导体 | |
MMBT4126LT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4126LT1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
ON/LRC/INF/FAI/ROHM |
24+ |
NA/ |
3000 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
37289 |
ON/安森美全新特价MMBT4126LT1G即刻询购立享优惠#长期有货 |
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ON/安森美 |
2450+ |
SOT-23 |
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ON |
25+ |
SOT23SCPRPBF |
188600 |
全新原厂原装正品现货 欢迎咨询 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-23 |
28235 |
郑重承诺只做原装进口现货 |
|||
ON |
24+ |
SOT23 |
12000 |
||||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
1706+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
MMBT4126LT1G规格书下载地址
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：750mV @ 50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 150mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压 - 集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）：400mV @ 5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）：100 @ 10mA，1V 功率 - 最大值：300mW 频率 - 跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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