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MMBT4126LT1G价格
参考价格：￥0.1164
型号：MMBT4126LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT4126LT1G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT4126LT1G批发/采购报价，MMBT4126LT1G行情走势销售排行榜，MMBT4126LT1G报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4126LT1G | GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating:−HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MMBT4126LT1G | GeneralPurposeTransistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MMBT4126LT1G | 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
GeneralPurposeTransistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
MMBT4126LT1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4126LT1G
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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ON |
24+ |
SOT23 |
12000 |
||||
ON |
24+ |
SOT23 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
标准封装 |
5000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
ON |
1706+ |
? |
7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
|||||
ON |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
ON SEMICONDUCTOR |
2246 |
con |
449 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
|||
ON(安森美) |
24+ |
N/A |
18000 |
原装正品现货支持实单 |
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ON |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
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MMBT4126LT1G规格书下载地址
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2022-2-22MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
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2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
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