MMBT3906LT1G

发布企业:深圳市科雨电子有限公司时间:2020-9-3 9:35:00

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晶体管类型:PNP 电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA 电压 - 集射极击穿(最大值):40V 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V 功率 - 最大值:300mW 频率 - 跃迁:250MHz 安装类型:表面贴装 封装/外壳:TO-236-3,SC-59

晶体管类型:PNP

电流 - 集电极(Ic)(最大值):200mA

电压 - 集射极击穿(最大值):40V

不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值):400mV @ 5mA,50mA

不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值):100 @ 10mA,1V

功率 - 最大值:300mW

频率 - 跃迁:250MHz

安装类型:表面贴装

封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

供应商器件封装:SOT-23-3(TO-236)

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

General Purpose Transistor PNP Silicon

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安森美半导体

General Purpose Transistor(PNP Silicon)

LRCLeshan Radio Company

乐山无线电乐山无线电股份有限公司

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Tiger Electronic Co.,Ltd

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摩托罗拉加尔文制造公司

General Purpose Transistors PNP Silicon

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威伦威伦电子股份有限公司

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WINNERJOINSHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY CO.,LTD

永而佳深圳市永而佳实业有限公司

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2025-9-26 22:59:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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