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MMBT4126中文资料
MMBT4126产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4126
- 功能描述
两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
23+ |
SOT-23-3 |
3022 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
NA |
173238 |
只做原装,假一罚十 |
|||
ON |
2021+ |
SOT-23 |
6800 |
原厂原装,欢迎咨询 |
|||
ON/安森美 |
SOT23 |
7906200 |
|||||
ON |
22+ |
原厂原封 |
12000 |
只做原装现货工厂免费出样欢迎咨询订单 |
|||
SOT-23 |
5000 |
公司存货 |
|||||
FAIRCHILD |
15+ |
SOT23 |
1436 |
现货-ROHO |
|||
NS |
13+ |
SOT23 |
9000 |
特价热销现货库存 |
|||
FAIRCHILD |
1305+ |
12000 |
MMBT4126LT1G 价格
参考价格：￥0.1164
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- LHR4601-2
- LK5540-7R
- LKP5741-5R
- MAP110
- MI-PC21R-MW
- MI-PC2MR-MW
- MI-PC2TR-MY
- MI-PC2XR-MW
- MI-PC6JT-MW
- MMBA812M7
- MMBT2222
- RE5RE24AC-T1
- RE5RE27AC-T1
- RE5RE56AA-T1
- RH5RE56AA-T1
- RH5RE58AA-T1
- RH5RL57AC-RR
- RH5RL58AC-RR
- RN5RL56AC-RR
- VI-22YCU
- VI-241IX
- VI-24XCU
- VI-2N0CU
- VI-2TYCU
- VI-JNMIY
- VI-JTMIY
MMBT4126 晶体管资料
MMBT4126别名：MMBT4126三极管、MMBT4126晶体管、MMBT4126晶体三极管
MMBT4126生产厂家：韩国三星公司
MMBT4126制作材料：
MMBT4126性质：射频/高频放大 （HF）_宽频带放大 （A）
MMBT4126封装形式：
MMBT4126极限工作电压：
MMBT4126最大电流允许值：0.2A
MMBT4126最大工作频率：<1MHZ或未知
MMBT4126引脚数：
MMBT4126最大耗散功率：
MMBT4126放大倍数：
MMBT4126图片代号：NO
MMBT4126vtest：0
MMBT4126htest：999900
- MMBT4126atest：.2
MMBT4126wtest：0
MMBT4126代换 MMBT4126用什么型号代替：
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Samsung Group 三星半导体
中文资料: 18167条
三星半导体是全球领先的半导体制造商之一，成立于1983年，总部位于韩国首尔。作为三星集团旗下的半导体业务部门，三星半导体致力于为客户提供高品质、高性能、高可靠性的半导体产品和解决方案，涵盖存储器、系统LSI、芯片等领域。 三星半导体拥有先进的生产设备和技术，以及一支专业的研发团队，能够为客户提供定制化的半导体解决方案。公司的产品广泛应用于电子、通信、计算机、汽车、医疗等领域，为客户提供高效、可靠、安全的半导体产品和服务。 作为全球领先的半导体制造商，三星半导体一直处于技术创新的前沿。公司不断投入研发，推出了一系列领先的半导体产品和解决方案，如高速存储器、高性能处理器、低功耗芯片等，为客户提
