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芯片资料

型号	功能描述	生产厂家&企业
MMBT4126_16	25VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •ComplementaryNPNType:MMBT4124 •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) •QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMDT4126_16	25VDUALPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：231.42 Kbytes Page：6 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
MMST4126_16	25VPNPSMALLSIGNALTRANSISTOR 文件：360.99 Kbytes Page：6 Pages	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体
PE4126_16	SMAMaleConnectorSolderAttachment4HoleFlangeMountStubTerminal,.340inchHoleSpacing 文件：323.53 Kbytes Page：3 Pages	PASTERNACK Pasternack Enterprises, Inc.

MMBT4126_16供应商更多...

更新时间：2025-7-5 15:55:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市富利微电子科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	24+	SOT-23-3	25000	原装正品公司现货,假一赔十!	询价
深圳市亿联芯电子科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	2023+	SOT-23	6050	一级代理优势现货,全新正品直营店	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES(美台)	24+	SOT233	7350	现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!!	询价
深圳市得捷芯城科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	24+	NA/	9250	原装现货,当天可交货,原型号开票	询价
深圳市恒凯威科技开发有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	21+	SOT-23-3	8080	只做原装,质量保证	询价
深圳市纳艾斯科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES	24+	SOT23	80000	只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MMBT4126-7-F	原装DIODES	19+	SOT-23	20000		询价
艾睿国际（香港）有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES(美台)	2447	SOT-23-3	105000	3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,	询价
深圳市创新迹电子有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	22+	SOT-23-3	12000	只有原装,原装,假一罚十	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	MMBT4126-7-F	DIODES/美台	21+	SMD	880000	明嘉莱只做原装正品现货	询价

MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
MMBT3906G-SOT23.3R-TG_UTC代理商
2023-2-9
MMBT3906WT1G 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MMBT3906WT1G双极晶体管-双极结型晶体管(BJT)，SC-70-3，ON安森美原装现货
2022-2-22
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-5-15
MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9
MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3
MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3