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MMBT4126LT1价格
参考价格：￥0.1164
型号：MMBT4126LT1G 品牌：ONSemi 备注：这里有MMBT4126LT1多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MMBT4126LT1批发/采购报价，MMBT4126LT1行情走势销售排行榜，MMBT4126LT1报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
MMBT4126LT1 | GeneralPurposeTransistorPNPSilicon GeneralPurposeTransistor PNPSilicon •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating–HumanBodyModel:>4000V –MachineModel:>400V | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 |  |   |
MMBT4126LT1 | 包装：散装 描述：TRANS SS GP PNP 25V SOT23 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | |
GeneralPurposeTransistor GeneralPurposeTransistor PNPSilicon Features •MoistureSensitivityLevel:1 •ESDRating:−HumanBodyModel:>4000V −MachineModel:>400V •TheseDevicesarePb−Free,HalogenFree/BFRFreeandareRoHS Compliant | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：TRANS PNP 25V 0.2A SOT23-3 分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
GeneralPurposeTransistor 文件：128.199 Kbytes Page：5 Pages | ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司 | | | |
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MMBT4126LT1产品属性
- 类型
描述
- 型号
MMBT4126LT1
- 功能描述
两极晶体管 - BJT 200mA 25V PNP
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
ON二三极管全系列在售 |
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ON/安森美 |
22+ |
SOT23 |
30000 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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ON |
24+/25+ |
11900 |
原装正品现货库存价优 |
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ON/安森美 |
25+ |
SOT23 |
37289 |
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ON |
22+ |
TO-220-3 |
50000 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT23 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
15659 |
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FAIRCHILD/仙童 |
21+ |
SOT-23 |
30000 |
优势供应 实单必成 可13点增值税 |
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ON(安森美) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
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2022-2-22MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电订货型号，欢迎咨询！
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-5-15MMBT4401 CJ/长电 SOT-23 支持原装长电现货订货，欢迎咨询
MMBT4401CJ/长电SOT-23
2021-3-9MMBT4401LT1G
晶体管类型：NPN 电流-集电极（Ic）（最大值）：600mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：750mV@50mA，500mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@150mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC
2020-9-3MMBT3906LT1G
晶体管类型：PNP 电流-集电极（Ic）（最大值）：200mA 电压-集射极击穿（最大值）：40V 不同?Ib，Ic时的?Vce饱和值（最大值）：400mV@5mA，50mA 不同?Ic，Vce?时的DC电流增益（hFE）（最小值）：100@10mA，1V 功率-最大值：300mW 频率-跃迁：250MHz 安装类型：表面贴装 封装/外壳：TO-236-3，SC-59
2020-9-3
DdatasheetPDF页码索引
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