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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR FEATURES • LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN NF= 0.95 dB TYP, Ga= 10 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.2 GHz NF= 1.1 dB TYP, Ga= 9.5 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.8 GHz • MAXIMUM STABLE POWER GAIN: MSG = 14.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz • SiGe HBT TECHNOLOGY: | NEC 瑞萨 | |||
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., | RENESAS 瑞萨 | |||
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG) FEATURES • The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz NF = 0.95 dB TYP., | RENESAS 瑞萨 | |||
NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 文件:334.1 Kbytes Page:9 Pages | CEL |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
RENESAS/瑞萨 |
25+ |
SOT-343 |
20300 |
RENESAS/瑞萨原装特价NESG3031M05即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
NEC |
24+ |
SOT-343 |
20000 |
全新原厂原装,进口正品现货,正规渠道可含税!! |
|||
CEL |
24+ |
原厂原装 |
5000 |
原装正品 |
|||
NEC原装正品专卖价格 |
NEW |
SOT343 |
20399 |
全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订 |
|||
NEC |
16+ |
SOT-343 |
10000 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
NECT1K |
SOT-343 |
3000 |
原装长期供货! |
||||
NEC |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
振宏微原装正品,假一罚百 |
|||
NEC |
25+ |
SOT343 |
30000 |
代理全新原装现货,价格优势 |
|||
Renesas(瑞萨) |
23+ |
原厂封装 |
32078 |
10年以上分销商,原装进口件,服务型企业 |
|||
RENESAS |
24+ |
SOT343 |
33600 |
一级代理/全新现货/长期供应! |
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