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NESG3031M05中文资料

厂家型号

NESG3031M05

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功能描述

NECs NPN SiGe HIGH FREQUENCY TRAN SIS TOR

射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A

数据手册

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生产厂商

NEC

NESG3031M05数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• LOW NOISE FIGURE AND HIGH-GAIN

NF= 0.95 dB TYP, Ga= 10 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.2 GHz

NF= 1.1 dB TYP, Ga= 9.5 dB TYP @ VCE= 2 V, IC= 6 mA, f = 5.8 GHz

• MAXIMUM STABLE POWER GAIN:

MSG = 14.0 dB TYP @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe HBT TECHNOLOGY:

USH3 process, fmax = 110 GHz

• M05 PACKAGE:

Flat-lead 4 pin thin-type super minimold package

NESG3031M05产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3031M05

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-11-27 11:48:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
NEC
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SOT343..
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十七年专营原装现货一手货源,样品免费送
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