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NESG3031M05-A中文资料

厂家型号

NESG3031M05-A

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12

功能描述

NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR

射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq

数据手册

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生产厂商

RENESAS

NESG3031M05-A数据手册规格书PDF详情

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz

NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 14.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05, 2012 PKG)

NESG3031M05-A产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NESG3031M05-A

  • 功能描述

    射频硅锗晶体管 NPN SiGe High Freq

  • RoHS

  • 制造商

    Infineon Technologies 发射极 - 基极电压

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-12 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Renesas
21+
-
10
全新原装鄙视假货
RENESAS
23+
SOT-343
20000
原装正品,假一罚十
RENESAS
24+
SOT343
33600
一级代理/全新现货/长期供应!
RENESAS
23+
SOT-343
50000
全新原装正品现货,支持订货
RENESAS
15+
SOT343
1109
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
RENESAS
22+
SOT-343
30000
只做原装正品
RENESAS/瑞萨
21+
SOT343
10000
原装现货假一罚十
Renesas(瑞萨)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
NEC
24+
M05
2347
CEL
24+
原厂原装
5000
原装正品