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厂家型号	NESG3031M05
文件大小	317.71Kbytes
页面数量	12页
功能描述	NPN SILICON GERMANIUM RF TRANSISTOR 射频硅锗晶体管 RO 551-NESG3031M05-A
数据手册	原厂下载下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	RENESAS

NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR

LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

FLAT-LEAD 4-PIN THIN-TYPE SUPER MINIMOLD (M05, 2012 PKG)

FEATURES

• The device is an ideal choice for low noise, high-gain amplification

NF = 0.6 dB TYP., Ga = 16.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 2.4 GHz

NF = 0.95 dB TYP., Ga = 10.0 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.2 GHz

NF = 1.1 dB TYP., Ga = 9.5 dB TYP. @ VCE = 2 V, IC = 6 mA, f = 5.8 GHz

• Maximum stable power gain: MSG = 14.0 dB TYP. @ VCE = 3 V, IC = 20 mA, f = 5.8 GHz

• SiGe HBT technology (UHS3) adopted: fmax = 110 GHz

• Flat-lead 4-pin thin-type super minimold (M05, 2012 PKG)

NESG3031M05供应商...

更新时间：2025-10-12 16:36:00

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