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IRG4PC50F价格

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型号：IRG4PC50FD-EPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4PC50F多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC50F批发/采购报价，IRG4PC50F行情走势销售排行榜，IRG4PC50F报价。

型号	功能描述	生产厂家企业	LOGO
IRG4PC50F	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.45V @VGE = 15V, IC = 39A Features • Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard	IRF	IRF
IRG4PC50F	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50F	600V 快速 1-8 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC50FD	N-Channel IGBT DESCRIPTION · Low Saturation Voltage:VCE(sat)=1.6V@IC= 39A · High Current Capability · High Input Impedance · Low Conduction Loss APPLICATIONS · Synchronous Rectification in SMPS · Motor Drives · UPS,PFC · General purpose inverter	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50FD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.45V @VGE = 15V, IC = 39A Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packa	IRF	IRF
IRG4PC50F-EPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AD package • Lead-Free Benefits •	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF	Fast Speed IGBT - INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Fast Speed IGBT INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF	IGBT DESCRIPTION · Low Gate Drive Requirement · High Current Handling Capability · Short Circuit Capability · High Power Density APPLICATIONS · Power Inverters · Motor Drives · UPS,PFC · High Voltage Auxiliaries	ISC 无锡固电	ISC
IRG4PC50FD	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD-EPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FD-EPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC50FDPBF	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AC 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC50FDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：762.74 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FDPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：763.7 Kbytes Page：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50F-E	Gen 4 600V Fast 1-8 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC50F-EPBF	封装/外壳：TO-247-3 包装：管件描述：IGBT 600V 70A 200W TO247AD 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IRG4PC50F-EPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：329.46 Kbytes Page：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50F-EPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：329.46 Kbytes Page：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：313.65 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50FPBF_15	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：313.65 Kbytes Page：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PC50K	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C,VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generat	IRF	IRF
IRG4PC50KD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.84V, @Vge=15V, Ic=30A) INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features ●Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz, and Short Circuit Rated to 10µs @125°C, VGE= 15V ●Generation 4 IGBT design provides tigh	IRF	IRF
IRG4PC50U	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) VCES= 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry stan	IRF	IRF
IRG4PC50UD	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.65V, @Vge=15V, Ic=27A) VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-pack	IRF	IRF

IRG4PC50F产品属性

类型
描述
Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
39.0A
IC(@25°) max：
70.0A
ICpuls max：
280.0A
Ptot max：
200.0W
VCE(sat) ：
1.45V
Eon ：
0.37mJ
Eoff(Hard Switching) ：
2.1mJ
td(on) ：
28.0ns
tr ：
24.0ns
td(off) ：
390.0ns
tf ：
230.0ns
QGate ：
190.0nC
Ets (max)：
2.47mJ (3.0mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
600.0V

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更新时间：2026-5-22 15:24:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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