IRG4PC50FDPBF价格

参考价格:¥10.0283

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IRG4PC50FDPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

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封装/外壳:TO-247-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 70A 200W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystandard

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.45V,@Vge=15V,Ic=39A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.45V @VGE=15V,IC=39A Features •Fast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packa

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •Industrystan

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.65V,@Vge=15V,Ic=27A)

VCES=600V VCE(on)typ.=1.65V @VGE=15V,IC=27A Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-pack

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)max.=2.30V,@Vge=15V,Ic=27A)

Features •DesignedexpresslyforSwitch-ModePowerSupplyandPFC (powerfactorcorrection)applications •Industry-benchmarkswitchinglossesimproveefficiencyofallpowersupplytopologies •50reductionofEoffparameter •LowIGBTconductionlosses •Latest-generationIGBTdesign

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IRG4PC50FDPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC50FDPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V FAST 1-8 KHZ COPACK IGBT

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-24 17:57:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon
22+
NA
3789
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23+
NA/
4456
原装现货,当天可交货,原型号开票
Infineon Technologies
2022+
TO247AC
6680
原厂原装,欢迎咨询
IR
2022
TO247
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
INFINEON/英飞凌
22+
TO3P
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
IR
2023+
T0-247
80000
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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dc11+
原厂封装
218
INSTOCK:25/tube
Infineon Technologies
23+
TO247AC
9000
原装正品,支持实单
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Infineon Technologies
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TO247AC
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