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位置：首页 > IC中文资料第832页 > IRG4PC40K

IRG4PC40K价格

参考价格：￥9.9560

型号：IRG4PC40KPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4PC40K多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4PC40K批发/采购报价，IRG4PC40K行情走势销售排行榜，IRG4PC40K报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4PC40K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-247AC package Bene

IRF

IRG4PC40K

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4PC40K

封装/外壳：TO-247-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 42A 160W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4PC40K

600V UltraFast 8-25 kHz Discrete IGBT in a TO-247AC package

Infineon

英飞凌

IRG4PC40

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)

Standard Speed IGBT Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

IRG4PC40KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.1V, @Vge=15V, Ic=25A)

Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT

IRF

IRG4PC40KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

IRF

IRG4PC40KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT

IRF

IRG4PC40KD

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

IRG4PC40KD

600V UltraFast 8-25 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

Infineon

英飞凌

IRG4PC40KDPBF

封装/外壳：TO-247-3 包装：卷带（TR） 描述：IGBT 600V 42A 160W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

IRG4PC40KDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：326.65 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC40KDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件：326.65 Kbytes Page：11 Pages

IRF

IRG4PC40KPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：244.45 Kbytes Page：9 Pages

IRF

IRG4PC40KPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：244.45 Kbytes Page：9 Pages

IRF

G4PC40U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)

Benefits • Generation 4 IGBTs offer highest efficiency available • IGBTs optimized for specified application conditions • Designed to be a drop-in replacement for equivalent industry-standard Generation 3 IR IGBTs Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz

IRF

G4PC40W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation than power MOSFETs up to 150 kHz (hard switched mode) • Of particular benefit to single-ended converters and boost PFC topologies 150W and higher • Low conduction losses and minimal minority-carrier recombinat

IRF

AUIRG4PC40S-E

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件：395.49 Kbytes Page：10 Pages

IRF

AUIRG4PC40S-E

Insulated Gate Bipolar Transistor

文件：1.2552 Mbytes Page：9 Pages

Infineon

英飞凌

IRG4PC40K产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC40K

  • 功能描述

    IGBT UFAST 600V 42A TO-247AC

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4PC40K供应商更多...

更新时间：2025-12-29 17:47:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市正纳电子有限公司
IRG4PC40KDPBF
NA
23+
NA
26094
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标准国际(香港)有限公司
IRG4PC40KDPBF
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INFINEON/英飞凌
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深圳市美思瑞电子科技有限公司
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深圳市亿联芯电子科技有限公司
IRG4PC40KDPBF
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