IRG4PC40KPBF价格

参考价格:¥9.9560

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4PC40KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltraFastIGBT

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IRG4PC40KPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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IRG4PC40KPBF

封装/外壳:TO-247-3 包装:卷带(TR) 描述:IGBT 600V 42A 160W TO247AC 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.32V,@Vge=15V,Ic=31A)

StandardSpeedIGBT Features •Standard:Optimizedforminimumsaturationvoltageandlowoperatingfrequencies(

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.1.72V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits •Generation4IGBTsofferhighestefficiencyavailable •IGBTsoptimizedforspecifiedapplicationconditions •Designedtobeadrop-inreplacementforequivalent industry-standardGeneration3IRIGBTs Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequencies8-40kHz

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=2.05V,@Vge=15V,Ic=20A)

Benefits •Lowerswitchinglossesallowmorecost-effective operationthanpowerMOSFETsupto150kHz (hardswitchedmode) •Ofparticularbenefittosingle-endedconvertersand boostPFCtopologies150Wandhigher •Lowconductionlossesandminimalminority-carrier recombinat

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InsulatedGateBipolarTransistor

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InfineonInfineon Technologies AG

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IRG4PC40KPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4PC40KPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V UltraFast 8-25kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-4-20 9:10:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IOR
TO247
17432
提供BOM表配单只做原装货值得信赖
IR
2022
09PBF
80000
原装现货,OEM渠道,欢迎咨询
IR
22+/23+
TO-247
9800
原装进口公司现货假一赔百
IR
2339+
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32280
原装现货 假一罚十!十年信誉只做原装!
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dc13
原厂封装
125
INSTOCK:25/tube
IR
TO-247
货真价实,假一罚十
25000
InternationRectifer
20+
NA
90000
全新原装正品/库存充足
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21+
TO-247
30000
只做正品原装现货
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23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
IR
21+
TO-247
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