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IRG4IBC30S价格
参考价格：￥9.7505
型号：IRG4IBC30SPBF 品牌：INTERNATIONAL 备注：这里有IRG4IBC30S多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4IBC30S批发/采购报价，IRG4IBC30S行情走势销售排行榜，IRG4IBC30S报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IRG4IBC30S | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：126.17 Kbytes Page：8 Pages | IRF |   | |
IRG4IBC30S | 封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | |
IRG4IBC30S | 600V DC-1 kHz (Standard) Discrete IGBT in a TO-220 FullPak package | Infineon 英飞凌 | | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating freqencies ( | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages | IRF | | ||
封装/外壳：TO-220-3 整包 包装：管件 描述：IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 | Infineon 英飞凌 | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：239.44 Kbytes Page：8 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Very Low 1.59V votage drop • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Very Low 1.59V votage drop • 2.5kV, 60s insulation voltage • 4.8 mm creapage distance to heatsink • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High switching speed optimized for up to 25kHz with low VCE(on) • Short Circuit Rating 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：195.54 Kbytes Page：10 Pages | IRF | | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT TECOVERY DIODE 文件：339.04 Kbytes Page：10 Pages | IRF | |
IRG4IBC30S产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4IBC30S
- 功能描述
IGBT STD 600V 23.5A TO-220FP
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿（最大）
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce（开）
3V @ 15V，100A 电流 -
- 集电极(Ic)（最大）
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
原厂封装 |
123 |
原装现货假一罚十 |
|||
IR |
23+ |
TO-220 |
8650 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
|||
IR |
24+ |
NA/ |
10791 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
|||
IR |
2016+ |
TO-220F |
3900 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
54648 |
百分百原装现货 实单必成 欢迎询价 |
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IR |
11+ |
TO-220 |
6100 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
24+ |
TO-220F |
15000 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IR |
05+ |
原厂原装 |
751 |
只做全新原装真实现货供应 |
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INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-220 |
6100 |
原厂全新正品旗舰店优势现货 |
IRG4IBC30S芯片相关品牌
IRG4IBC30S规格书下载地址
IRG4IBC30S参数引脚图相关
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- l100
- ku波段
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- IRH7054
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IRG4IBC30S数据表相关新闻
IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能科技 有限公司
2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
华富芯深圳智能 科技有限公司
2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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