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IRG4IBC30FD中文资料
IRG4IBC30FD数据手册规格书PDF详情
Features
• Very Low 1.59V votage drop
• 2.5kV, 60s insulation voltage
• 4.8 mm creapage distance to heatsink
• Fast: Optimized for medium operating
frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20
kHz in resonant mode).
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,
ultrasoft recovery antiparallel diodes
• Tighter parameter distribution
• Industry standard Isolated TO-220 FullpakTM
outline
Benefits
• Simplified assembly
• Highest efficiency and power density
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes
switching losses and EMI
IRG4IBC30FD产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4IBC30FD
- 功能描述
IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> IGBT - 单路
- 系列
-
- 标准包装
30
- 系列
GenX3™ IGBT
- 类型
PT 电压 -
- 集电极发射极击穿(最大)
1200V Vge,
- Ic时的最大Vce(开)
3V @ 15V,100A 电流 -
- 集电极(Ic)(最大)
200A 功率 -
- 最大
830W
- 输入类型
标准
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-247-3
- 供应商设备封装
PLUS247?-3
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
IR |
24+ |
TO 220F |
161189 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
IR |
24+ |
TO-220FullPak |
8866 |
||||
IR |
23+ |
TO-220F |
8600 |
全新原装现货 |
|||
ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
|||
IR |
2015+ |
TO-220F |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
|||
INFINEON |
1503+ |
TO-220 |
3000 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
IR |
23+ |
TO-220F |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
IR |
21+ |
TO-220F |
10000 |
原装现货假一罚十 |
|||
Infineon Technologies |
22+ |
TO220AB FullPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
IRG4IBC30FD 资料下载更多...
IRG4IBC30FD 芯片相关型号
- AME8500AEFVDA29
- AME8501AEFVAD29
- AME8501CEEVDA29
- AME8501CEFTAD29
- AME8501CEFTDA29
- HZC11
- HZC6.2
- IDT70V631S15PRF
- IDT71V3577S85BGG
- IDT71V3577SA75BGG
- IDT71V3579SA75PFG
- IDT71V3579SA80PFG
- IDT71V3579YS80BGG
- IDT71V3579YS80PFG
- IDT71V3579YSA80PFG
- IDT723646L12PF
- IDTQS3VH2245PA
- ILD621GB
- ILQ621
- IRF532
- IRF532FI
- IRF533FI
- IRKT26/10AS90
- IRKT26/12A
- ISL5627IN
- K4H1G0438M-TC/LA2
- K4H1G0438M-TC/LB0
- K4H1G0838M-TC/LB0
- K4S56163LF
- K6R4004V1D
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
International Rectifier
International Rectifier Corporation(简称IRF)是一家全球领先的功率半导体制造商,成立于1947年,总部位于美国加利福尼亚州。IRF专注于开发和提供高效能的功率管理解决方案,其产品广泛应用于汽车、工业、消费电子、航空航天、通信和计算等多个领域。公司以其功率MOSFET闻名,提供多种类型的整流二极管,包括肖特基二极管和超快恢复二极管,同时还开发IGBT(绝缘栅双极晶体管)和电源管理IC。IRF在功率半导体领域的创新和技术积累为其赢得了良好的声誉,并于2014年被英飞凌科技股份公司(Infineon Technologies AG)收购,这一收购旨在增强英飞凌在