IRG4IBC30SPBF价格

参考价格:¥9.7505

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IRG4IBC30SPBF

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR

Features •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfreqencies(

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IRG4IBC30SPBF

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IRG4IBC30SPBF

封装/外壳:TO-220-3 整包 包装:管件 描述:IGBT 600V 23.5A 45W TO220FP 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •VeryLow1.59Vvotagedrop •2.5kV,60sinsulationvoltage •4.8mmcreapagedistancetoheatsink •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultrasoftrecovery

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE

Features •Highswitchingspeedoptimizedforupto25kHz withlowVCE(on) •ShortCircuitRating10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,

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IRG4IBC30SPBF产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4IBC30SPBF

  • 功能描述

    IGBT 晶体管 600V DC-1kHz

  • RoHS

  • 制造商

    Fairchild Semiconductor

  • 配置

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流

    400 nA

  • 功率耗散

    187 W

  • 封装/箱体

    TO-247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-5 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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