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位置：首页 > IC中文资料第4383页 > IRG4BC40W

IRG4BC40W价格

参考价格：￥11.5696

型号：IRG4BC40W-LPBF 品牌：International 备注：这里有IRG4BC40W多少钱，2026年最近7天走势，今日出价，今日竞价，IRG4BC40W批发/采购报价，IRG4BC40W行情走势销售排行榜，IRG4BC40W报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC40W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC40W

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 40A 160W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40W

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-220AB 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40WL

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC40WPBF

ISSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC40WS

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC40WSPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • Designed expressly for Switch-Mode Power Supply and PFC (power factor correction) applications • Industry-benchmark switching losses improve efficiency of all power supply topologies • 50 reduction of Eoff parameter • Low IGBT conduction losses • Latest-generation IGBT

IRF

IRG4BC40WL

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 TO-262 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：283.94 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC40WPBF

封装/外壳：TO-220-3 包装：管件 描述：IGBT 600V 40A 160W TO220AB 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：283.94 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC40WS

600V Warp 60-150 kHz 分立 IGBT，采用 D2Pak 封装

INFINEON

英飞凌

IRG4BC40WSPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：357.47 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC40WSPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：357.47 Kbytes Page：10 Pages

IRF

IRG4BC40F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.50V, @Vge=15V, Ic=27A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

IRG4BC40F

Fit Rate / Equivalent Device Hours

文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages

IRF

G4BC40S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A)

Features • Standard: optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies (

IRF

G4BC40U

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.72V, @Vge=15V, Ic=20A)

Features • UltraFast: optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Gener

IRF

IRC4BC40F

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件：167.69 Kbytes Page：8 Pages

IRF

IRG4BC40W产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC40W

  • 功能描述

    IGBT WARP 600V 40A TO-220AB

  • RoHS

    否

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿（最大）

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce（开）

    3V @ 15V，100A 电流 -

  • 集电极(Ic)（最大）

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

IRG4BC40W供应商更多...

更新时间：2026-1-27 22:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市纳艾斯科技有限公司
IRG4BC40WPBF
INFINEON/英飞凌
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NA
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深圳市能创芯电子科技有限公司
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深圳市科恒伟业电子有限公司
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深圳市湘达电子科技有限公司
IRG4BC40W-SPBF
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