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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF |   | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
IRG4BC20W-STRR产品属性
- 类型
描述
- 型号
IRG4BC20W-STRR
- 功能描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 13A I(C) | TO-263AB
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-263 |
4500 |
只做原装正品现货 欢迎来电查询15919825718 |
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IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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- |
23+ |
NA |
11601 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
4500 |
十七年VIP会员,诚信经营，一手货源，原装正品可零售！ |
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INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-220 |
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原厂全新正品旗舰店优势现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
2022+ |
50 |
6600 |
只做原装,假一罚十,长期供货。 |
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IR |
24+ |
D2-Pak |
8866 |
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IR |
SOT-263 |
6294 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
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ir |
24+ |
N/A |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-220 |
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INFINEON/英飞凌全新特价IRG4BC20FDPBF即刻询购立享优惠#长期有货 |
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属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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