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IRG4BC20KDS中文资料

厂家型号

IRG4BC20KDS

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功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

数据手册

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生产厂商

IRF

IRG4BC20KDS数据手册规格书PDF详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V

• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in bridge configurations

• Industry standard D2Pak package

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible.

• HEXFRED™ diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses.

• This part replaces the IRGBC20KD2-S and IRGBC20MD2-S products.

• For hints see design tip 97003.

IRG4BC20KDS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20KDS

  • 制造商

    IRF

  • 制造商全称

    International Rectifier

  • 功能描述

    INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.27V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

更新时间:2026-2-1 8:22:00
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IRG4BC20KDSTRLP 价格

参考价格:¥8.1833

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