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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera | IRF |   | ||
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A) Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery | IRF | | ||
INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE
| IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | | ||
Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages | IRF | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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IR |
22+ |
SOT263 |
8000 |
原装正品支持实单 |
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IR |
24+ |
原厂封装 |
65250 |
支持样品,原装现货,提供技术支持! |
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Infineon Technologies |
21+ |
D2PAK |
800 |
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)! |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
159942 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
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Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
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IR |
24+ |
原厂封装 |
99 |
原装现货假一罚十 |
IRG4BC20HD规格书下载地址
IRG4BC20HD参数引脚图相关
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IRFZ44NSTRLPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-24IRG4PC40KPBF 原装正品.仓库现货
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2021-11-23IRFZ44NPBF原装现货
IRFZ44NPBF原装正品
2021-8-10IRG4PC50WPBF
属性 参数值 商品目录 IGBT管 集电极电流（Ic）（最大值） 55A 集射极击穿电压（最大值） 600V 类型 - 不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.3V @ 15V，27A 栅极阈值电压-VGE(th) 6V @ 250uA
2020-10-27IRGB15B60KDPBF IR全新正品现货
原装正品现货热卖中，焕盛达-专注原装 用芯服务；
2020-7-17IRFZ44NPBF选拓亿芯电子，国际电子元器件供应商
元器件优质供应
2019-11-1
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