型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IRG4BC20F-S

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

Infineon

英飞凌

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: Optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-220AB package Benefits • Genera

IRF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.66V, @Vge=15V, Ic=9.0A)

Features • Fast: optimized for medium operating frequencies ( 1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode). • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery

IRF

INSULATED GATEBIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFR RECOVERY DIODE

IRF

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IRF

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IRF

IRG4BC20F-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20F-S

  • 功能描述

    IGBT FAST 600V 16A TO-220-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-4 15:08:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
TO220AB
9000
原装正品,支持实单
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
Infineon Technologies
23+
原装
7000
IR
24+
TO-220
5000
IR
24+
TO-220AB
27500
原装正品,价格最低!
IR
NEW
TO-220
35890
代理全系列销售,全新原装正品,价格优势,长期供应,量大可订
ir
24+
N/A
6980
原装现货,可开13%税票
IR
22+
TO-220AB
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种

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