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IRG4BC20F-S

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技公司

Infineon

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IGBT 600V 16A 60W TO220-3 分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

InfineonInfineon Technologies AG

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Infineon

INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:Optimizedformediumoperating frequencies(1-5kHzinhardswitching,>20 kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan Generation3 •IndustrystandardTO-220ABpackage Benefits •Genera

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.66V,@Vge=15V,Ic=9.0A)

Features •Fast:optimizedformediumoperatingfrequencies (1-5kHzinhardswitching,>20kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistribution andhigherefficiencythanGeneration3 •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast,ultra-soft-recovery

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INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFRRECOVERYDIODE

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IRG4BC20F-S产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRG4BC20F-S

  • 功能描述

    IGBT FAST 600V 16A TO-220-3

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> IGBT - 单路

  • 系列

    -

  • 标准包装

    30

  • 系列

    GenX3™ IGBT

  • 类型

    PT 电压 -

  • 集电极发射极击穿(最大)

    1200V Vge,

  • Ic时的最大Vce(开)

    3V @ 15V,100A 电流 -

  • 集电极(Ic)(最大)

    200A 功率 -

  • 最大

    830W

  • 输入类型

    标准

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商设备封装

    PLUS247?-3

  • 包装

    管件

更新时间:2024-5-3 12:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
23+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
IR
23+
TO-220
35890
23+
N/A
46580
正品授权货源可靠
IR
2020+
TO-220
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
IR
21+ROHS
TO-263
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
Infineon Technologies
23+
原装
8000
只做原装现货
IR
23+
TO-TO-220-3
12300
全新原装真实库存含13点增值税票!
IR
O4
TO-220
5000
Infineon Technologies
21+
TO220AB
13880
公司只售原装,支持实单
IR
22+
TO-220
34137
只做原装进口现货

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