IRFR13N20DTRL价格

参考价格:¥3.0780

型号:IRFR13N20DTRLP 品牌:IR 备注:这里有IRFR13N20DTRL多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IRFR13N20DTRL批发/采购报价,IRFR13N20DTRL行情走势销售排行榜,IRFR13N20DTRL报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters

IRF

High frequency DC-DC converters

文件:689.89 Kbytes Page:11 Pages

IRF

Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A)

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IRF

SMPS MOSFET

文件:3.72818 Mbytes Page:10 Pages

KERSEMI

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.82 Kbytes Page:2 Pages

ISC

无锡固电

IRFR13N20DTRL产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IRFR13N20DTRL

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 13A DPAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    HEXFET®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-16 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
10391
原装现货,当天可交货,原型号开票
IR
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100000
代理渠道/只做原装/可含税
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百分百原装现货 实单必成 欢迎询价
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    属性 参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss) 200V 连续漏极电流(Id) 13A 功率(Pd) 110W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) 235mΩ 10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id) 5.5V 250μA 类型 N沟道

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