IRFP4668PBF 全新原装现货

时间:2022-6-27 9:38:00

IRFP4668PBF

安裝風格: Through Hole

封裝/外殼: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數: 1 Channel

Vds - 漏-源擊穿電壓: 200 V

Id - C連續漏極電流: 130 A

Rds On - 漏-源電阻: 9.7 mOhms

Vgs - 閘極-源極電壓: - 30 V, + 30 V

Vgs th - 門源門限電壓 : 1.8 V

Qg - 閘極充電: 161 nC

最低工作溫度: - 55 C

最高工作溫度: + 175 C

Pd - 功率消耗 : 520 W

通道模式: Enhancement

封裝: Tube

品牌: Infineon / IR

配置: Single

下降時間: 74 ns

互導 - 最小值: 150 S

高度: 20.7 mm

長度: 15.87 mm

產品類型: MOSFET

上升時間: 105 ns

400

子類別: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

標準斷開延遲時間: 64 ns

標準開啟延遲時間: 41 ns

寬度: 5.31 mm

零件號別名: IRFP4668PBF SP001572854

每件重量: 6 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

N-Channel MOSFET Transistor

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