时间：2021-5-20 17:13:00
制造商: Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V， + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 210 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 280 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
配置: Single
系列: IRFP
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值: 13 S
下降时间: 58 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 59 ns
工厂包装数量: 500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 110 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
单位重量: 6 g
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
PowerMOS transistors Avalanche energy rated | PhilipsPhilips Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦 |   | ||
N - CHANNEL 500V - 0.22 ohm - 20 A - TO-247 PowerMESH] MOSFET | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团 | | ||
20A, 500V, 0.270 Ohm, N-Channel Power MOSFET | Intersil Intersil Corporation | | ||
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.27ohm, Id=20A) | IRF International Rectifier | | ||
MegaMOS - Power MOSFET | IXYSIXYS Corporation 艾赛斯 | | ||
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | | ||
Power MOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | ||
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.27ohm, Id=20A) | IRF International Rectifier | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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