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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IIRFR13N20D | N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 |   | |
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters | IRF | | ||
Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)max=0.235ohm, Id=13A) Benefits • Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses • Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current Applications • High frequency DC-DC converters | IRF | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：335.82 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | | ||
SMPS MOSFET 文件：3.72818 Mbytes Page：10 Pages | KERSEMI | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法半导体 |
21+ |
LGA-12 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
|||
ST |
25+ |
VFLGA-12221 |
16900 |
原装，请咨询 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
LGA-12 |
8860 |
原装正品，支持实单 |
|||
ST/意法半导体 |
23+ |
LGA-12 |
16900 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
ST(意法半导体) |
2447 |
LGA-12(2x2) |
115000 |
1个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期 |
|||
IR |
23+ |
TO-251 |
7000 |
||||
ST |
24+ |
SMD |
17900 |
加速计 |
|||
ST意法 |
20+ |
LGA12 |
17000 |
加速度计,只做全新原装 |
|||
STMicroelectronics |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
|||
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
IIRFR13N20D规格书下载地址
IIRFR13N20D参数引脚图相关
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2022-9-28IHW30N160R5全新原装现货
IHW30N160R5，全新原装现货0755-82732291当天发货或门市自取.
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2021-1-2IHW30N160R2FKSA1
制造商零件编号 IHW30N160R2FKSA1 Manufacturer Or OEM Infineon Technologies 描述 IGBT 1600V 60A 312W TO247-3 说明 IGBT NPT，沟槽型场截止 1600V 60A 312W 通孔 PG-TO247-3 对无铅/(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级（MSL） 1（无限） 最低订购数量 240 标准包装
2020-12-14
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