IRFR15N20DTRPBF

时间:2022-10-19 17:53:00

表面贴装型 N 通道 200 V 17A(Tc) 3W(Ta),140W(Tc) D-PAK(TO-252AA)

分立半导体产品

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET

包装

卷带(TR)

剪切带(CT)

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)

200 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

17A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)

165 毫欧 @ 10A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)

41 nC @ 10 V

Vgs(最大值)

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)

910 pF @ 25 V

FET 功能

功率耗散(最大值)

3W(Ta),140W(Tc)

工作温度

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D-PAK(TO-252AA)

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

基本产品编号

IRFR15

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

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2025-8-7 23:00:00
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