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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id | Infineon 英飞凌 |   | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N 沟道功率 MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
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IPB200N25N产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB200N25N
- 功能描述
MOSFET N-channel POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
17+ |
TO263 |
2 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
24+ |
N/A |
10000 |
只做原装,实单最低价支持 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
25900 |
新到现货,只有原装 |
||||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
|||
INF |
25+23+ |
TO-263 |
27982 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
Infineon(英飞凌) |
2447 |
PG-TO263-3 |
105000 |
1000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货, |
|||
Infineon |
24+ |
TO-263 |
3000 |
原装现货,有上库存就有货,假一赔十 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
10000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
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2021-8-11
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