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厂家型号	IPB200N25N3G
文件大小	427.94Kbytes
页面数量	11页
功能描述	OptiMOSTM3 Power-Transistor OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	INFINEON

Features

• N-channel, normal level

• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

• Very low on-resistance R DS(on)

• 175 °C operating temperature

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Qualified according to JEDEC1) for target application

• Halogen-free according to IEC61249-2-21

• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

类型
描述
型号
IPB200N25N3G
制造商
INFINEON
制造商全称
Infineon Technologies AG
功能描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

IPB200N25N3G供应商...

更新时间：2025-10-11 23:00:00

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