型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id

Infineon

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IPB200N25N3G

OptiMOSTM3 Power-Transistor

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IPB200N25N3G

OptiMOS3 Power-Transistor

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OptiMOS3 Power-Transistor

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N-Channel 250-V (D-S) MOSFET

Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed

AnalogPower

N-Channel MOSFET Transistor

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ISC

无锡固电

IPB200N25N3G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB200N25N3G

  • 制造商

    INFINEON

  • 制造商全称

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述

    OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)

更新时间:2025-11-17 20:00:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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代理渠道/只做原装/可含税
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15年芯片行业经验/只供原装正品:0755-83274538邹小姐

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