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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB200N25N3G | OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id | Infineon 英飞凌 |   | |
IPB200N25N3G | OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
IPB200N25N3G | OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | |
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPB200N25N3G产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB200N25N3G
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
TO-263 |
3000 |
原装现货,有上库存就有货,假一赔十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-263 |
4079 |
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB200N25N3G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
INFEINEON |
21+ |
TO263 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
10000 |
原装现货,实单价格可谈 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
6560 |
十年信誉,只做全新原装正品现货,价格优势!! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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2021-8-11
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