IPB200N25N3G

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2024-11-26 9:15:00

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进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 64 A

Rds On-漏源导通电阻: 17.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 86 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 12 ns

正向跨导 - 最小值: 61 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 20 ns

系列: OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

宽度: 9.25 mm

单位重量: 4 g