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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB200N25N3 | OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id | Infineon 英飞凌 | | ||
20V-300V N-Channel Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPB200N25N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB200N25N3
- 功能描述
MOSFET N-channel POWER MOS
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFEINEON |
2023+ |
TO263 |
7868 |
十五年行业诚信经营,专注全新正品 |
|||
INF |
25+23+ |
TO-263 |
27982 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9855 |
原装正品现货支持实单 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
10000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
5000 |
十年沉淀唯有原装 |
|||
原装 |
1923+ |
TO263 |
8900 |
公司库存原装低价格欢迎实单议价 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+/25+ |
10000 |
原装正品现货库存价优 |
||||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
N/A |
9048 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
|||
INFEINEON |
21+ |
TO263 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3048 |
进口原装正品优势供应 |
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2021-8-11
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