位置：首页 > IC中文资料第10565页 > IPB200N25N3
| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB200N25N3 | OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id | Infineon 英飞凌 | | ||
20V-300V N-Channel Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor 文件：764.46 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
IPB200N25N3产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB200N25N3
- 制造商
INFINEON
- 制造商全称
Infineon Technologies AG
- 功能描述
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product(FOM)
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
|||||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB200N25N3G即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
Infineon |
1538+ |
TO263-3 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO263 |
8500 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
INFEINEON |
21+ |
TO263 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
|||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TO263-3 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
|||
Infineon |
24+ |
TO-263 |
3000 |
原装现货,有上库存就有货,假一赔十 |
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INFINEON |
原厂封装 |
1000 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
INFINEON |
23+ |
TO-263 |
25000 |
英飞凌MOS管全系列在售,终端可供样品 |
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2021-8-11
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