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IPB200N25N3中文资料

厂家型号

IPB200N25N3

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719.12Kbytes

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11

功能描述

OptiMOS3 Power-Transistor

MOSFET N-channel POWER MOS

数据手册

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生产厂商

INFINEON

IPB200N25N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB200N25N3

  • 功能描述

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 8:12:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
TO-263
1524
原厂直供,支持账期,免费供样,技术支持
INFINEON/英飞凌
25+
TO-263
32360
INFINEON/英飞凌全新特价IPB200N25N3G即刻询购立享优惠#长期有货
INFINEON
24+
TO-263
10000
只做原装 有挂有货 假一赔十
INFINEON
100000
代理渠道/只做原装/可含税
Infineon
24+
TO-263
3000
原装现货,有上库存就有货,假一赔十
INFINEON
23+
NA
10000
原装现货,实单价格可谈
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TO-263
6560
十年信誉,只做全新原装正品现货,价格优势!!
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10000
只做原装,实单最低价支持
INFINEON
2024+
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70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网

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