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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB200N25N3-G | OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 |   | |
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features • N-channel, normal level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Very low on-resistance R DS(on) • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Qualified according to JEDEC1) for target application • Halogen-free according to IEC61249-2-21 • Id | Infineon 英飞凌 | | ||
OptiMOS3 Power-Transistor 文件：719.12 Kbytes Page：11 Pages | Infineon 英飞凌 | | ||
N-Channel 250-V (D-S) MOSFET Key Features: • Low rDS(on) trench technology • Low thermal impedance • Fast switching speed | AnalogPower | | ||
N-Channel MOSFET Transistor 文件：338.32 Kbytes Page：2 Pages | ISC 无锡固电 | |
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
原厂直销,现货供应,账期支持! |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263 |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
|||
INFINEON |
22+ |
TO-263 |
3000 |
全新原装 |
|||
Infineon |
1538+ |
TO263-3 |
40 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
45000 |
十年专营原装现货,假一赔十 |
||||
INFINEON |
25+ |
TO-263 |
1000 |
原厂原装,价格优势 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
15000 |
原装原标原盒 给价就出 全网最低 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO220 |
28000 |
原装现货只有原装.假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
PG-TO263-3 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
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2023-4-21IPB120P04P4L-03
https://hfx03.114ic.com/
2022-6-9IPB180P04P4L-02 原装正品 MOSFET P-Ch -40V -180A D2PAK-6 OptiMOS-P2
支持实单 价格优势 有单必成
2022-3-31IPB60R099P7ATMA1 INFINEON/英飞凌 21+ TO-263
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2021-8-11
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