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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
IPB09N03LA | OptiMOS2Power-Transistor Type:IPB09N03LAG Package:PG-TO263-3-2 Marking:09N03LA •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthe | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 |  |   |
OptiMOS짰2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •dv/dtrated | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司 | | | |
25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent | PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.77212 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 |  | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.73664 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
N-Channel30-V(D-S)MOSFET 文件：1.77236 Mbytes Page：8 Pages | VBSEMIVBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司 | | | |
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IPB09N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB09N03LA
- 功能描述
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
SOT-263 |
60000 |
原装正品进口现货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-263 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
23+ |
N/A |
64910 |
正品授权货源可靠 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
21+23+ |
TO-263 |
6499 |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO263 |
58000 |
全新原厂原装正品现货,可提供技术支持、样品免费! |
|||
VBSEMI/台湾微碧 |
23+ |
TO-263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
InfineonTechnologies |
19+ |
TO-263-3 |
56800 |
D2Pak(2Leads+Tab) |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-263 |
10000 |
绝对原装现货热卖 |
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IPB09N03LA参数引脚图相关
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2019-3-27
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