IPB072N15N3G

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2024-11-26 9:13:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

联系人:刘春兰

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

原装代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 70 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 14 ns

正向跨导 - 最小值: 65 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 35 ns

系列: OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

宽度: 9.25 mm

单位重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

PDF上传者:深圳市周芯芯半导体有限公司

3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

OptiMOS?? Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

2025-8-15 20:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
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TO263
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新到现货,只做原装进口
Infineon(英飞凌)
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英飞凌代理渠道,只做原装