发布企业：深圳市富芯乐电子科技有限公司时间：2022-10-27 17:18:00
属性
数值
通道类型
N
最大连续漏极电流
88 A
最大漏源电压
200 V
最大漏源电阻值
0.011 Ω
最大栅阈值电压
4V
最小栅阈值电压
2V
最大栅源电压
-20 V、+20 V
封装类型
D2PAK (TO-263)
安装类型
表面贴装
引脚数目
3
晶体管配置
单
通道模式
增强
最大功率耗散
300 W
典型接通延迟时间
18 ns
宽度
9.45mm
典型关断延迟时间
41 ns
最低工作温度
-55 °C
每片芯片元件数目
1
典型栅极电荷@Vgs
65 nC @ 10 V
高度
4.57mm
长度
10.31mm
典型输入电容值@Vds
5340 pF @ 100 V
系列
OptiMOS
尺寸
10.31 x 9.45 x 4.57mm
最高工作温度
+175 °C
| 型号查询 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
isc N-Channel MOSFET Transistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 |   | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
OptiMOS 3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
OptiMOS 3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | | ||
OptiMOSTM3 Power-Transistor | InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司 | |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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