IPB107N20N3G绝对全新原装特价销售

发布企业:深圳市富芯乐电子科技有限公司时间:2022-10-27 17:18:00

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IPB107N20N3G绝对全新原装特价销售

属性

数值

通道类型

N

最大连续漏极电流

88 A

最大漏源电压

200 V

最大漏源电阻值

0.011 Ω

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大栅源电压

-20 V、+20 V

封装类型

D2PAK (TO-263)

安装类型

表面贴装

引脚数目

3

晶体管配置

通道模式

增强

最大功率耗散

300 W

典型接通延迟时间

18 ns

宽度

9.45mm

典型关断延迟时间

41 ns

最低工作温度

-55 °C

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

65 nC @ 10 V

高度

4.57mm

长度

10.31mm

典型输入电容值@Vds

5340 pF @ 100 V

系列

OptiMOS

尺寸

10.31 x 9.45 x 4.57mm

最高工作温度

+175 °C

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

ISC

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

Infineon

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

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2025-8-3 14:22:00
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