型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
IPB09N03LAT

OptiMOS 2Power-Transistor

Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1)for target applications • N-channel - Logic level • Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM) • Very low on-resistance RDS(on) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • dv/dtrated

Infineon

英飞凌

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

FEATURES • RDS(ON), VGS@10V,IDS@30A=9mΩ • RDS(ON), VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ • Advanced trench process technology • High Density Cell Design For Uitra Low On-Resistance • Specially Designed for DC/DC Converters and Motor Drivers • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

PANJIT

強茂

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

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VBSEMI

微碧半导体

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微碧半导体

IPB09N03LAT产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPB09N03LAT

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    OptiMOS™

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-8-16 8:02:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon Technologies
21+
PG-TO263-3-2
1000
100%进口原装!长期供应!绝对优势价格(诚信经营)!
Infineon Technologies
24+
原装
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原装正品,提供BOM配单服务
INFINE0N
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Infineon(英飞凌)
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正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
INFINEON
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