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IPB09N03LA中文资料
IPB09N03LA数据手册规格书PDF详情
Type : IPB09N03LAG
Package : PG-TO263-3-2
Marking : 09N03LA
• Ideal for high-frequency dc/dc converters
• Qualified according to JEDEC for target applications
• N-channel - Logic level
• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)
• Very low on-resistance RDS(on)
• Superior thermal resistance
• 175 °C operating temperature
• dv/dtrated
• Pb-free lead plating; RoHS compliant
IPB09N03LA产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPB09N03LA
- 功能描述
MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK
- RoHS
否
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
OptiMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
更新时间：2025-12-16 14:00:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2021+ |
TO-263 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
23+/24+ |
TO-263 |
9865 |
原装MOS管(场效应管). |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO263 |
15620 |
INFINEON/英飞凌全新特价IPB09N03LA即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-263 |
9300 |
全新原装正品支持含税 |
|||
INFINEON |
24+/25+ |
545 |
原装正品现货库存价优 |
||||
Infineon |
13+ |
2430 |
原装分销 |
||||
INFINEON |
24+ |
D2PAK(TO-263) |
8866 |
||||
INFINEON |
2012+ |
TO-263 |
12000 |
全新原装,绝对正品,公司现货供应。 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
1252 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-263 |
90000 |
一级代理商进口原装现货、价格合理 |
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