IPB107N20N3G

发布企业:深圳市毅创辉电子科技有限公司时间:2024-11-26 9:15:00

企业深圳市毅创辉电子科技有限公司

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地址:深圳市福田区华强北街道华强北路1016号宝华大厦A座2028室

进口代理

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS:

REACH - SVHC:

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3 (TO-263-3)

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 88 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 87 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 11 ns

正向跨导 - 最小值: 71 S

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFETs

上升时间: 26 ns

系列: OptiMOS 3

工厂包装数量:1000

子类别: Transistors

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 41 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

宽度: 9.25 mm

单位重量: 4 g

型号查询 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作

isc N-Channel MOSFET Transistor

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

OptiMOSTM3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOS 3 Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

InfineonInfineon Technologies AG

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2025-8-16 9:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
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原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
IPB107N20N3
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