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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1005LS | Power MOSFETs and IGBT for PDP
| RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1005LS | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | |
H7N1005LS | Power MOSFETs | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17868 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：4.88409 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | |
H7N1005LS产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1005LS
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
23+ |
TO-3P |
5000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
JRC |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
20+ |
TO-251 |
300000 |
现货很近!原厂很远!只做原装 |
|||
VBsemi/台湾微碧 |
22+ |
TO263 |
20000 |
公司只做原装 品质保障 |
|||
NEC |
25+ |
ZIP |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
ST |
20+ |
YO-3P |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS |
23+ |
TO-263 |
50670 |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
|||
VBsemi |
21+ |
TO252-3 |
10065 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
RENESAS |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
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