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H7N1005DS中文资料

厂家型号

H7N1005DS

文件大小

139.4Kbytes

页面数量

11

功能描述

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

数据手册

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生产厂商

Renesas Technology Corp

简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

LOGO

H7N1005DS数据手册规格书PDF详情

Features

• Low on-resistance

RDS (on) = 85 mΩ typ.

• Low drive current

• Capable of 4.5 V gate drive

H7N1005DS产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N1005DS

  • 制造商

    Renesas Electronics Corporation

更新时间:2025-5-17 14:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
RENESAS
TO-252
30216
提供BOM表配单TEL:0755-83759919QQ:2355705587杜S
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Renesas Technology Corp 瑞萨科技有限公司

中文资料: 113836条

瑞萨科技公司(Renesas Technology Corp.)是一家全球领先的半导体解决方案供应商,总部位于日本东京。公司成立于2002年,由原日立半导体和三菱电机半导体合并而成,专注于提供高性能和高效能的微控制器、模拟和混合信号IC、功率半导体以及系统集成解决方案,广泛应用于汽车、工业控制、信息通信、消费电子等多个领域。瑞萨科技的产品组合涵盖微控制器(MCUs)、模拟和混合信号IC、功率半导体以及汽车解决方案等。公司在汽车电子领域具有强大的技术实力,提供车载MCU、传感器和网络解决方案,支持智能汽车的发展。瑞萨在全球设有多个研发中心和分支机构,产品及解决方案销售至欧美、亚洲等地区,致力于为