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| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
H7N1005LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 |   | |
H7N1005LD | Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching | RENESAS 瑞萨 | | |
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：145.33 Kbytes Page：11 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching 文件：125.81 Kbytes Page：9 Pages | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive | RENESAS 瑞萨 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：1.17868 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | | ||
N-Channel MOSFET uses advanced trench technology 文件：4.88409 Mbytes Page：4 Pages | DOINGTER 杜因特 | |
H7N1005LD产品属性
- 类型
描述
- 型号
H7N1005LD
- 制造商
RENESAS
- 制造商全称
Renesas Technology Corp
- 功能描述
Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI/台湾微碧 |
24+ |
TO263 |
60000 |
全新原装现货 |
|||
R |
23+ |
TO263 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
RENESAS |
23+ |
TO263 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
ST |
2511 |
TO-3P |
16900 |
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价 |
|||
JRC |
ROHS |
13352 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
RENESAS/瑞萨 |
23+ |
TO-92Mod |
2000000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
NEC |
25+ |
原厂原封装 |
86720 |
全新原装进口现货价格优惠 本公司承诺原装正品假一赔 |
|||
ST |
20+ |
YO-3P |
67500 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
RENESAS |
24+ |
TO263 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
|||
ST |
25+ |
TO-3P |
16900 |
原装，请咨询 |
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