型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
H7N1005LD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

H7N1005LD

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

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RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on) = 85 mΩ typ. • Low drive current • Capable of 4.5 V gate drive

RENESAS

瑞萨

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

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DOINGTER

杜因特

H7N1005LD产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    H7N1005LD

  • 制造商

    RENESAS

  • 制造商全称

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述

    Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

更新时间:2026-3-2 15:54:00
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