H5TQ4G83CFR-RDC 品牌HYNIX 数量:16000 批号:18+ 封装:FBGA 全新原装现
H5TQ4G83CFR-RDC规格:
H5TQ4G83CFR-RDC 参数:
该H5TQ4G43AFR - XXC , H5TQ4G83AFR - XXC和H5TQ4G63AFR - XXC是4Gb
CMOS双数据速率III
( DDR3 )同步DRAM ,非常适合需要大容量存储器主存储器的应用
密度和高带宽。 4GB DDR3 SDRAM芯片提供参考利培两者完全同步操作
荷兰国际集团和下降沿的时钟的边缘。而所有地址和控制输入锁存的上升沿
在CK (属于CK的边缘) ,数据,数据选通信号和写数据掩码输入采样两个利培
荷兰国际集团和下降它的边缘。的数据通路内部流水线和8位预取,以达到非常高的
带宽。
设备特点及订购信息
特点:? VDD = VDDQ = 1.5V +/- 0.075V
?全差分时钟输入( CK , CK )操作
? 8banks ?平均更新周期(的温度上限0oC~ 95oC)
?差分数据选通( DQS , DQS )
- 7.8微秒的0oC ~ 85oC- 3.9μs的85oC ~ 95oC
?片上DLL对齐DQ , DQS和DQS与CK过渡
?过渡? JEDEC标准78ball FBGA ( X4 / X8 ) , 96ball FBGA ( X16
? DM口罩写入数据中的上升沿和下降沿
??选择EMRS驱动力
数据选通的边缘
?动态片上终端支持
?所有的地址和控制输入数据以外的数据
?异步复位引脚支持
选通信号和数据掩码锁存的上升沿时钟
? ZQ校准支持?可编程CAS延时5 , 6 , 7 , 8 , 9 , 10 , 11 , 13和14支持
?可编程附加延迟是0,CL -1和CL -2支持?可编程CAS写入延迟( CWL ) = 5 , 6 , 7 8 , 9 ,
10
?可编程突发长度4/8既蚕食顺序和交错模式? BL的飞行开关
?? TDQS (终止数据选通)支持( X8只)
?写Levelization支持? 8位预取?本产品符合RoHS指令。